本文目录一览：
- 1、三极管饱和电压Uces如何确定？
- 2、三极管中的UCES=UBEQ吗？如果等于的话是为什么呢？
- 3、三极管饱和区时Uces和Uce的区别
- 4、模拟电子技术中的 三极管 饱和管压降 Uces 是指什么概念
- 5、饱和管压降uces是什么意思？
- 6、模拟电路中的uces一般取多少？
三极管饱和电压Uces如何确定？
uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。
uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。
此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。
三极管Uces：饱和状态工作时，发射结和集电结都处于正偏，则导电很好、电流较大，这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量。
扩展资料：
三极管饱和电压Uces确定是通过实际测试。让它流过指定的电流，给定指定的基极电流。
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
参考资料来源：百度百科-三极管
三极管中的UCES=UBEQ吗？如果等于的话是为什么呢？
是可以的。
Uces是三极管共发射极放大器的集电极饱和压降。
Ubeq是三极管共发射极放大器的基极压降。
当三极管的基极电流≥基极临界饱和电流，
三极管的集电结的反偏电压就会逐渐减小，慢慢过渡到零偏，直至于到正偏。
这时三极管就由放大区进入到饱和区。
当集电结零偏时，也就是说集电极电位与基极电位相等，就会出现
Uces=Ubeq。
当集电结正偏时，还会出现
Uces＜Ubeq。
三极管饱和区时Uces和Uce的区别
一、指代不同
1、三极管Uces：即饱和状态，指晶体管的一种低电压、大电流工作状态（即开态）.晶体管的工作状态。
2、Uce：称为压降，电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化。
二、原理不同
1、三极管Uces：饱和状态工作时，发射结和集电结都处于正偏，则导电很好、电流较大，这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量。
2、Uce：负载两端的电势差引起电压降。
三、作用不同
1、三极管Uces：在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的，都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降。
2、Uce：是电流流动的推动力。如果没有电压降，也就不存在电流的流动。
参考资料来源：百度百科-压降
参考资料来源：百度百科-饱和状态
模拟电子技术中的 三极管 饱和管压降 Uces 是指什么概念
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
工程中，其实饱和和放大的边界远没有那么清楚，是一个很模糊的概念，对于小功率管而言，基本上UCE=1V开始，就逐步进入饱和区了，UCE越小，饱和程度越深。到了UCES后，就完全进入饱和状态了，但是饱和程度还可以继续加深，小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右，这时候可以说是深度饱和了。
UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用，可以计算功率管自身管耗，进而计算效率。
把追问也回答好吧。
你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流，但对于饱和区来说，这个电流还不是最大的基极电流。
饱和管压降uces是什么意思？
当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。
三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。 但三极管同样有截止区与饱和区，当发射结与集电结都正偏的时候，三极管处于饱和区，此时vce是个常数，即饱和压降，取0.2V～0.3V。
含义
VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
模拟电路中的uces一般取多少？
Uces的值取决于晶体管的导通程度。
一般来说，深度饱和时的电压值为0.3V，浅饱和时为0.7V左右，1V基本上可以认为晶体三极管处于放大状态。当然，这些值也与晶体管的类型有关。
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
三极管的饱和区：
当Uce较小时，Ic变化较小，即Ib失去了对Ic的控制能力，三极管处于饱和状态。此时，三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状态，即：UbeUon且Uce Ube ，βIb Ic，Uce ≈0.3V。深度饱和时的Uce用Uces表示，三极管深度饱和时Uces很小，一般小功率管的Uces 0.3V，锗管的Uces 0.1V，比硅管还要小。
以上内容参考：百度百科-临界放大
